Ba(Zn,Co)2As2：一种具有 n 型载流子的 II-II-V 稀磁半导体
材料科学
2019-04-10 v1 强关联电子
超导电性
摘要
将半导体特性与铁磁性结合的稀磁半导体（DMSs）在自旋敏感电子学（自旋电子学）器件中具有潜在应用。在 III-V (Ga,Mn)As 薄膜中观察到铁磁序后，对 DMS 材料的探索迅速展开。近来，一系列与铁基超导体同构的 DMS 化合物被报道。其中，(Ba,K)(Zn,Mn)As 实现了最高的居里温度 230 K。然而，大多数 DMS，包括 (Ga,Mn)As，为 p 型，即介导铁磁性的载流子是空穴。对于实际应用，具有 n 型载流子的 DMS 同样具有优势。本文报道了具有 n 型载流子的 II-II-V 稀磁半导体 Ba(Zn,Co)As 的成功合成。磁化测量显示铁磁转变发生至 45 K。霍尔效应和塞贝克效应测量共同确认主导载流子为电子。通过缪子自旋弛豫（SR）这一体敏感磁探针，我们也确认了 Ba(Zn,Co)As 中的铁磁性是内禀的且内场是静态的。
引用
@article{arxiv.1712.06764,
title = {Ba(Zn,Co)2As2: a II-II-V Diluted Ferromagnetic Semiconductor with N-type Carriers},
author = {Shengli Guo and Huiyuan Man and Cui Ding and Yao Zhao and Licheng Fu and Yilun Gu and Guoxiang Zhi and Benjamin A. Frandsen and Sky C. Cheung and Zurab Guguchia and Kohtaro Yamakawa and Bin Chen and Hangdong Wang and Z. Deng and C. Q. Jin and Yasutomo J. Uemura and Fanlong Ning},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.06764},
year = {2019}
}
备注
8 pages, 6 figures. Developed work of 1403.4019