K 和 Mn 共掺杂 BaCd2As2：具有大磁电阻的六方结构体稀磁半导体
强关联电子
2014-01-06 v1 材料科学
超导电性
摘要
在 K 和 Mn 共掺杂的 BaCd2As2 体系中发现了一种体稀磁半导体。与最近报道的四方形 ThCr2Si2 结构 II-II-V 基 (Ba,K)(Zn,Mn)2As2 不同，Ba1-yKyCd2-xMnxAs2 体系具有六方 CaAl2Si2 型结构，其中 Cd2As2 层形成类蜂窝网络。Mn 浓度最高可达 x ≈ 0.4。磁化测量表明，样品经历铁磁相变，居里温度高达 16 K。凭借小于 10 Oe 的低矫顽场和约 -70% 的大磁电阻，六方结构的 Ba1-yKyCd2-xMnxAs2 可作为自旋操纵的有前景候选材料。
引用
@article{arxiv.1311.6097,
title = {K and Mn co-doped BaCd2As2: a hexagonal structured bulk diluted magnetic semiconductor with large magnetoresistance},
author = {Xiaojun Yang and Yuke Li and Pan Zhang and Hao Jiang and Yongkang Luo and Qian Chen and Chunmu Feng and Chao Cao and Jianhui Dai and Qian Tao and Guanghan Cao and Zhu-an Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.6097},
year = {2014}
}
备注
5 pages,4 figures.accepted for publication in JAP