具有窄带隙的稀磁半导体
材料科学
2016-10-12 v2 强关联电子
摘要
我们提出一种通过选择具有窄带隙的宿主半导体来实现具有p型和n型载流子的稀磁半导体(DMS)的方法。通过结合密度函数理论和量子蒙特卡洛模拟，我们利用Mn掺杂的BaZn2As2（其带隙为0.2 eV）展示了此类半导体。此外，我们发现了一种新型无毒DMS Mn掺杂的BaZn2Sb2，其居里温度Tc预计高于Mn掺杂的BaZn2As2，后者的Tc在最近实验中高达230 K。
引用
@article{arxiv.1601.05165,
title = {Diluted magnetic semiconductors with narrow band gaps},
author = {Bo Gu and Sadamichi Maekawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.05165},
year = {2016}
}
备注
18 pages, 12 figures