新型 p 型和 n 型铁磁半导体：Cr 掺杂 BaZn2As2
材料科学
2016-12-26 v1
摘要
通过结合密度泛函理论与量子蒙特卡罗模拟的方法，我们发现了新型铁磁半导体 Cr 掺杂 BaZn2As2。由于主体 BaZn2As2 具有 0.2 eV 的窄带隙以及 Cr 杂质 3d 轨道的不同杂化，在价带顶部下方和导带底部上方均诱发了杂质束缚态。在 p 型和 n 型载流子下均获得了 Cr 杂质间的长程铁磁耦合。
引用
@article{arxiv.1610.03578,
title = {New p- and n-type ferromagnetic semiconductors: Cr-doped BaZn2As2},
author = {Bo Gu and Sadamichi Maekawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.03578},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 4 figures. arXiv admin note: substantial text overlap with arXiv:1601.05165