2p 轻元素掺杂 II-VI 族氧化物和 III-V 族氮化物半导体中的铁磁性
材料科学
2013-05-29 v1
摘要
我们研究了由非磁性 2p 轻元素掺杂的 II-VI 族氧化物和 III-V 族氮化物半导体作为潜在稀磁半导体 (DMS) 的特性。基于我们的第一性原理计算，预测氮掺杂 ZnO、碳掺杂 ZnO 和碳掺杂 AlN 具有铁磁性。此类 DMS 材料的铁磁性可归因于一种类 p-d 交换的 p-p 耦合相互作用，该相互作用源于杂质（类 p 的 ）与价态 (p) 之间相似的对称性和波函数。我们还提出了一种共掺杂机制，即在 ZnO 中使用铍和氮作为掺杂剂，以增强铁磁耦合并提高溶解度和活性。
引用
@article{arxiv.0709.2059,
title = {Ferromagnetism in 2p Light Element-Doped II-oxide and III-nitride Semiconductors},
author = {L. Shen and R. Q. Wu and H. Pan and G. W. Peng and M. Yang and Z. D. Sha and Y. P. Feng},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.2059},
year = {2013}
}