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掺杂半导体中的载流子诱导磁性

强关联电子 2009-11-07 v1 无序系统与神经网络

摘要

我们提出了掺杂磁性半导体(DMS)中载流子诱导磁性的理论。该方法在均等处理下,同时考虑了RPA 近似下的量子涨落和CPA 中的无序。这种方法允许计算 TcT_c、磁化和磁激子谱随空穴、掺杂浓度和温度的变化。我们指出,在靠近 TcT_c 且采用Tyablicov型解耦方案时,CPA 对它inerant电子气可还原为虚拟晶体近似。这使得在低掺杂浓度和低载流子密度条件下,可给出 TcT_c 的解析表达式。为说明该工作,我们考虑了 Ga1cMncAsGa_{1-c}Mn_{c}As 的情况,并将结果与已有的实验数据进行比较。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0202111,
  title  = {Carrier induced ferromagnetism in diluted magnetic semi-conductors},
  author = {G. Bouzerar and T. P. Pareek},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0202111},
  year   = {2009}
}

备注

5 figures included. to appear in Phys. Rev. B (brief report)