稀磁半导体中的磁性杂质态与铁磁相互作用
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1 强关联电子
摘要
我们研究了稀磁半导体的电子结构，特别关注空穴的特性。我们将Haldane-Anderson模型扩展到磁性杂质，并在Hartree-Fock近似下进行分析。由于杂质d态与宿主p态的强杂化，表明在价带中产生了空穴，同时形成了局域磁矩。这些空穴弱束缚在杂质位点周围，其特征长度为几个晶格常数。对于两个杂质的情况，发现当两个杂质的间距与空穴的长度相当，这些空穴的重叠有利于铁磁相互作用。空间扩展的空穴对铁磁交换相互作用起着至关重要的作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0701736,
title = {Magnetic Impurity States and Ferromagnetic Interaction in Diluted Magnetic Semiconductors},
author = {M. Ichimura and K. Tanikawa and S. Takahashi and G. Baskaran and S. Maekawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0701736},
year = {2007}
}
备注
3 figures