掺杂半导体中无序量子亚铁磁性：能级密度方法
强关联电子
2025-06-25 v3 介观与纳米尺度物理
摘要
我们提出了对空间无序磁矩系统交换相互作用的理论研究。典型的无序系统示例是掺杂半导体，其磁性质与掺杂原子之间的交换相互作用相关。本研究考虑的是亚铁磁交换相互作用情况，并采用海森堡哈密顿量进行描述。为计算无序系统的磁性质，我们采用能级密度方法。我们的计算结果在广泛的掺杂浓度和温度范围内，与 Si:P 磁化抗性随温度变化的实验依赖性表现出良好的定量一致性。
引用
@article{arxiv.2412.07305,
title = {Disordered quantum antiferromagnetism in doped semiconductors: Density of states approach},
author = {N. A. Bogoslovskiy and P. V. Petrov and N. S. Averkiev},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.07305},
year = {2025}
}