Ga1-xMnxAs的交叉临界行为
材料科学
2015-05-30 v1
摘要
通过热扩散率测量，实验研究了Ga1-xMnxAs在居里温度附近的临界行为。考虑到热扩散率的倒数与比热具有相同的临界行为，我们确定了所研究样品的临界指数α。在接近临界温度时，观察到从平均场类临界行为到伊辛类临界行为的交叉。从交叉行为中，确定了不同Mn浓度下Ga1-xMnxAs的金兹堡数和交换相互作用长度的值。
引用
@article{arxiv.1108.1028,
title = {Crossover critical behavior of Ga1-xMnxAs},
author = {Sh. U. Yuldashev and Kh. T. Igamberdiev and Y. H. Kwon and Sanghoon Lee and X. Liu and J. K. Furdyna and A. G. Shashkov and T. W. Kang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.1028},
year = {2015}
}
备注
17 pages, 5 figures