Gd注入GaN、Si和蓝宝石中的亚稳态巨磁矩
材料科学
2011-03-29 v1 无序系统与神经网络
摘要
我们报道了Gd离子注入以及GaN薄膜(生长在蓝宝石衬底上)、裸蓝宝石和Si衬底的磁性表征,以揭示Gd离子注入诱导磁性的机制。对于所有三种宿主,在5至300 K的温度下均观察到每个Gd离子的巨磁矩。GaN中每个Gd的最大磁矩为1800 μ_B,而Gd注入的Si和蓝宝石中的磁矩仅略小。发现表观诱导的铁磁响应是亚稳态的,在室温下约50天后消失,但注入的蓝宝石除外。我们认为,我们的发现支持了Gd注入半导体和绝缘体中基于缺陷的磁性图像。
引用
@article{arxiv.1103.5322,
title = {Metastable giant moments in Gd-implanted GaN, Si, and sapphire},
author = {X. Wang and C. Timm and X. M. Wang and W. K. Chu and J. Y. Lin and H. X. Jiang and J. Z. Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.5322},
year = {2011}
}
备注
17 pages preprint style, 5 figures, 1 table