邻近耦合 MoS2/石墨烯范德瓦耳斯异质结构中的电子自旋共振
介观与纳米尺度物理
2022-03-08 v2
摘要
将石墨烯优异的电子与自旋输运特性与具有更高自旋轨道耦合的材料相耦合，可借助与范德瓦耳斯层的邻近效应克服石墨烯中自旋操控的难题。本文利用磁输运测量在 1.5K 下研究石墨烯与 MoS2 复合体系的电子自旋共振。电子自旋共振测量在 18–33GHz 频率范围内进行，由此可确定体系中的 g 因子。我们测得混合体系的平均 g 因子为 1.91，相较于在 SiO2 上石墨烯中所观测到的值有显著偏移。这清晰表明了石墨烯中由邻近效应诱导的自旋轨道耦合（SOC），与理论预测一致。
引用
@article{arxiv.2111.00530,
title = {Electron-Spin-Resonance in a proximity-coupled MoS2/Graphene van-der-Waals heterostructure},
author = {Chithra H. Sharma and Pai Zhao and Lars Tiemann and Marta Prada and Arti Dangwal Pandey and Andreas Stierle and Robert. H. Blick},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.00530},
year = {2022}
}