石墨烯中由电子相互作用引起的自旋g因子
强关联电子
2017-07-05 v2
摘要
回转磁因子是将粒子的磁偶极矩与其自旋联系起来的重要物理量。真空中的电子自旋g因子是有史以来最好的基于模型的理论预言之一，显示与测量值的一致达到万亿分之十的精度。然而，对于材料中的电子，由于环境相互作用，g因子相对于其在真空中的值被修正。在此，我们通过考虑赝QED框架下的全电磁相互作用，展示相互作用效应如何导致石墨烯中的自旋g因子修正。我们将我们的理论预言与在沉积于SiO2和SiC上的石墨烯上进行的实验进行比较，并且发现它们之间非常吻合。
引用
@article{arxiv.1601.07454,
title = {Spin g-factor due to electronic interactions in graphene},
author = {N. Menezes and Van Sergio Alves and E. C. Marino and L. Nascimento and Leandro O. Nascimento and C. Morais Smith},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.07454},
year = {2017}
}
备注
Improved version of the manuscript; valley g-factor part has been removed