相互作用诱导的石墨烯 $g$-因子增强
介观与纳米尺度物理
2014-02-12 v1
摘要
我们在 Thomas-Fermi 模型框架下,利用 Hartree 和 Hubbard 近似,研究了垂直磁场中电子相互作用对石墨烯自旋分裂及 -因子的影响。我们发现,与自由电子值 相比,-因子得到了增强,并作为填充因子 的函数在 范围内振荡,在偶数 处达到最大值,在奇数 处达到最小值。我们概述了基底中带电杂质的作用,结果显示其会抑制 -因子的振荡。随着杂质浓度的增加,这种效应变得尤为显著,此时有效 -因子变得与填充因子无关,达到 的值。文中还讨论了与近期实验的关系。
引用
@article{arxiv.1208.0522,
title = {Interaction-induced enhancement of $g$-factor in graphene},
author = {A. V. Volkov and A. A. Shylau and I. V. Zozoulenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.0522},
year = {2014}
}
备注
7 pages, 6 figures