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相互作用诱导的石墨烯 $g$-因子增强

介观与纳米尺度物理 2014-02-12 v1

摘要

我们在 Thomas-Fermi 模型框架下,利用 Hartree 和 Hubbard 近似,研究了垂直磁场中电子相互作用对石墨烯自旋分裂及 gg-因子的影响。我们发现,与自由电子值 g=2g=2 相比,gg-因子得到了增强,并作为填充因子 ν\nu 的函数在 2g42\leq g^{\ast}\lesssim 4 范围内振荡,在偶数 ν\nu 处达到最大值,在奇数 ν\nu 处达到最小值。我们概述了基底中带电杂质的作用,结果显示其会抑制 gg^{\ast}-因子的振荡。随着杂质浓度的增加,这种效应变得尤为显著,此时有效 gg-因子变得与填充因子无关,达到 g2.3g^{\ast}\approx 2.3 的值。文中还讨论了与近期实验的关系。

关键词

引用

@article{arxiv.1208.0522,
  title  = {Interaction-induced enhancement of $g$-factor in graphene},
  author = {A. V. Volkov and A. A. Shylau and I. V. Zozoulenko},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1208.0522},
  year   = {2014}
}

备注

7 pages, 6 figures