石墨烯中由 Rashba 效应引起的 g 因子减小

石墨烯是自旋电子学领域极具前景的材料。近期电子自旋共振实验观测到石墨烯 g 因子的减小。在我们之前的论文 [J. Phys. Soc. Jpn. 88, 094707 (2019)] 中，我们证明了这种减小的一个来源是石墨烯的抗磁性。然而，仅凭抗磁性本身无法完全解释实验中观测到的减小幅度。本文中，我们关注由石墨烯表面附近存在的功函数引起的 Rashba 效应。Rashba 效应使自旋磁矩向石墨烯片的面内方向倾斜，可能减小 g 因子。我们使用一个结合 Rashba 与自旋塞曼效应的简单模型系统来评估这一减小。我们随后证明，所得 g 因子与先前实验观测值高度吻合，表明 Rashba 效应能够解释石墨烯 g 因子剩余的减小部分。