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强面内磁场中栅极定义量子点内电子的 g 因子

介观与纳米尺度物理 2018-12-05 v2

摘要

我们分析了面内磁场对基于二维电子气的栅极量子点态自旋结构的轨道效应。从 kpk \cdot p 哈密顿量出发,我们对 GaAs 的导带微扰计算这些效应,直至磁场的三次幂。我们量化了 g 张量的若干修正并揭示其相对重要性。我们发现对于典型参数,Rashba 自旋轨道项和各向同性项 H43P2BσH_{43} \propto {\bf P}^2 {\bf B} \cdot \boldsymbol{\sigma} 在量级上贡献最大。另一方面,g 因子的面内各向异性主要由 Dresselhaus 自旋轨道项主导。在零磁场下,对 g 因子的总修正通常为其体值的 5-10%。在强面内磁场中,修正被显著改变。

关键词

引用

@article{arxiv.1808.03963,
  title  = {G-factor of electrons in gate-defined quantum dots in a strong in-plane magnetic field},
  author = {Peter Stano and Chen-Hsuan Hsu and Marcel Serina and Leon C. Camenzind and Dominik M. Zumbühl and Daniel Loss},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1808.03963},
  year   = {2018}
}

备注

24 pages, 8 figures; v2 is in content identical to the version published in PRB. Compared to v1, the minor changes adopted in v2 are reflecting the PRB referees' suggestions