空穴 g 因子各向异性对 InGaAs 量子点自旋-光子纠缠生成的影响
介观与纳米尺度物理
2025-08-26 v2 量子物理
摘要
自组装InGaAs/GaAs量子点(QD)在确定性生成自旋-光子纠缠方面尤为重要。一种可行方案依赖于横向磁场下自旋的拉姆齐预cession，该过程由电子和价带重空穴的平面g因子决定。我们探讨了重空穴g因子关于平面磁场方向的各向异性来源，并揭示了其对自旋-光子纠缠生成的影响。首先，通过对单个量子点的偏振分辨光致发光测量，我们确定价带混合的影响占主导，优于由束缚重正化立方Luttinger参数引起的效应。基于此，我们构建了完整的空穴g张量模型。随后，我们利用该模型模拟了具有各向异性空穴g因子的自旋-光子纠缠生成的 concurrence 和 fidelity，这可以通过磁场角度和激发偏振进行调节。结果表明，通过后生长控制空穴g因子可用于提高自旋-光子簇状态的生成。
引用
@article{arxiv.2502.07627,
title = {The impact of hole $g$-factor anisotropy on spin-photon entanglement generation with InGaAs quantum dots},
author = {P. R. Ramesh and E. Annoni and N. Margaria and D. A. Fioretto and A. Pishchagin and M. Morassi and A. Lemaître and M. F. Doty and P. Senellart and L. Lanco and N. Belabas and S. C. Wein and O. Krebs},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.07627},
year = {2025}
}