发射电信波长的InAs/InAlGaAs自组装量子点中的电子与空穴g因子
介观与纳米尺度物理
2015-10-09 v1 量子物理
摘要
我们将已测量电子与空穴g因子的量子点(QD)发射能量范围扩展到实际重要的电信波段。通过磁场中的泵浦-探测法拉第旋转光谱，研究了生长在InP衬底上、发射波长约1.6 μm的InAs/InAlGaAs自组装量子点中的自旋动力学。观察到对应于量子点电子与空穴绕场自旋进动的两个不同频率的显著振荡，并由此确定了相应的g因子。约-1.9的电子g因子是迄今光学方法测得的III-V量子点最大负值。该值以及报道的其他III-V量子点g因子，均不同于块体半导体在相同发射能量下的预期值，且此差异随能量降低而显著增大。
引用
@article{arxiv.1510.02408,
title = {Electron and hole g factors in InAs/InAlGaAs self-assembled quantum dots emitting at telecom wavelengths},
author = {V. V. Belykh and A. Greilich and D. R. Yakovlev and M. Yacob and J. P. Reithmaier and M. Benyoucef and M. Bayer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.02408},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 5 figures