用于量子通信应用的对称 InP 基量子点中带电激子的磁光表征
介观与纳米尺度物理
2021-01-26 v1
摘要
在 Voigt 和 Faraday 外磁场构型下，测量了新型大尺寸对称 InP 基量子点中带电激子的磁光参数，此类量子点在分子束外延生长的纳米结构中不常见，其发光位于第三电信窗口。发现其抗磁系数在平面外和平面内分别处于 1.5-4 {\mu}eV/{\T^2} 和 8-15 {\mu}eV/{\T^2} 范围。所确定的抗磁位移值与量子点尺寸的各向异性相关。测得带电激子 g 因子相对较小，在两种构型下分别处于 0.3-0.7 和 0.5-1.3 范围。基于自旋关联轨道电流形式对单载流子 g 因子的分析得出，空穴与电子在 Voigt 构型下值相近为 {\sim} 0.25，在 Faraday 磁场构型下为 {\g_e} {\approx} -5；{\g_h} {\approx} +6。Voigt 构型下测得的接近零的 g 因子使所研究的量子点在电调 g 因子符号方面具有前景，而这是量子比特应用中单自旋控制方案所需要的。
引用
@article{arxiv.2101.09739,
title = {Magneto-optical characterization of trions in symmetric InP-based quantum dots for quantum communication applications},
author = {Wojciech Rudno-Rudziński and Marek Burakowski and Johann Peter Reithmaier and Anna Musiał and Mohamed Benyoucef},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.09739},
year = {2021}
}
备注
16 pages, 6 figures