Ge/Si 纳米线中定义的空穴量子点的强 g 因子各向异性
介观与纳米尺度物理
2007-06-21 v1
摘要
我们在基于未掺杂 Ge/Si 核-壳纳米线异质结构的一维空穴系统中展示了完全可调的单量子点和双量子点。沿纳米线的局部空穴密度通过向五个顶栅电极施加电压来控制，其周期为 80 nm，通过 20 nm 厚的 HfO_2 介电薄膜与纳米线绝缘。低温输运测量用于研究单量子点中库仑阻塞峰的磁场依赖性，并表明其具有强各向异性的 g 因子，其中 |g_para| = 0.60 +/- 0.03 且 |g_perp| < 0.12。
引用
@article{arxiv.0706.2883,
title = {Strong g-Factor Anisotropy in Hole Quantum Dots Defined in Ge/Si Nanowires},
author = {S. Roddaro and A. Fuhrer and C. Fasth and L. Samuelson and J. Xiang and C. M. Lieber},
journal= {arXiv preprint arXiv:0706.2883},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 3 figures