CdTe/ZnTe量子点中面内空穴g因子的各向异性
介观与纳米尺度物理
2016-06-22 v1
摘要
对亮激子的光学研究仅能提供关于量子点中空穴各向异性的有限信息。本工作中，我们提出一种利用中等面内磁场中的暗激子研究重空穴各向异性的通用方法。通过分析暗激子光致发光的线偏振，我们辨识出面内空穴g因子的各向同性与各向异性贡献。我们将该方法应用于若干独立的自组装CdTe/ZnTe量子点，展示了面内空穴g因子的多种行为：从几乎完全各向异性到几乎各向同性。我们得出结论：一般而言，两种贡献都起着重要作用，且均不可忽略。
引用
@article{arxiv.1604.02591,
title = {Anisotropy of in-plane hole g-factor in CdTe/ZnTe quantum dots},
author = {A. Bogucki and T. Smoleński and M. Goryca and T. Kazimierczuk and J. Kobak and W. Pacuski and P. Wojnar and P. Kossacki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.02591},
year = {2016}
}
备注
7 pages, 4 figures