Ge-Si核壳纳米线量子点中电场依赖的g因子各向异性
介观与纳米尺度物理
2016-03-21 v1
摘要
我们展示了Ge-Si核壳纳米线量子点中有效g因子g*的角度依赖测量。发现当磁场方向垂直于纳米线以及由局域栅极诱导的电场时，g*最大。磁场与电场对齐使g*显著降低。当磁场与纳米线轴对齐时，g*几乎完全淬灭。这些发现证实了近期的计算，其中获得的各向异性归因于重空穴-轻空穴混合诱导的Rashba型自旋轨道相互作用。原则上，这有利于利用连续高频电场操控自旋轨道量子比特。
引用
@article{arxiv.1603.05877,
title = {Electric-field dependent g-factor anisotropy in Ge-Si core-shell nanowire quantum dots},
author = {Matthias Brauns and Joost Ridderbos and Ang Li and Erik P. A. M. Bakkers and Floris A. Zwanenburg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.05877},
year = {2016}
}