Ge/Si纳米线量子点中可调g因子与声子介导的空穴自旋弛豫
介观与纳米尺度物理
2013-04-25 v2
摘要
我们从理论上研究了暴露于外部磁场和电场的纵向Ge/Si核/壳纳米线量子点中空穴的g因子和自旋寿命。对于基态，我们发现g因子具有很大的各向异性，并且通过施加电场高度可调。这种可调性强烈依赖于电场相对于磁场的方向。我们计算了零电场和小电场下的单声子空穴自旋弛豫时间T1，并提出了一种最优配置，在该配置下可以达到数十毫秒量级的极长T1。增加相对壳层厚度或纵向约束长度会进一步延长T1。在没有电场的情况下，退相消失，退相干时间T2由T2 = 2 T1决定。
引用
@article{arxiv.1302.5027,
title = {Tunable g factor and phonon-mediated hole spin relaxation in Ge/Si nanowire quantum dots},
author = {Franziska Maier and Christoph Kloeffel and Daniel Loss},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.5027},
year = {2013}
}
备注
7 pages, 4 figures