Ge/Si 异质结纳米线中的空穴自旋相干性

利用快速脉冲门方法和色散读出技术，在门定义的 Ge/Si 纳米线双量子点中测量了空穴自旋的弛豫与退相干。非均匀退相干时间 $T_2^* \sim 0.18~\mathrm{\mu s}$ 比 III-V 族半导体中的相应测量值大一个数量级以上，这与主要无核自旋材料的预期一致。观察到退相干在时间上呈指数型，表明存在宽带噪声源，而非在核自旋主导退相干的系统中先前观察到的高斯型。