GaAs/AlGaAs异质结构中由栅控的电子自旋共振
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
研究了二维电子在栅控的GaAs/AlGaAs异质结构中的电子自旋共振 (ESR)。我们发现ESR共振频率可以通过栅极电压进行调控。异质结构的前栅和后栅产生相反的g因子偏移，表明电子g因子通过将电子波函数的平衡位置从具有不同g因子的单层中移位来进行电场调控。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0102044,
title = {Gate-Controlled Electron Spin Resonance in a GaAs/AlGaAs Heterostructure},
author = {H. W. Jiang and E. Yablonovitch},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0102044},
year = {2009}
}