磁化叉指Fe光栅下方GaAs/InGaAs量子阱中杂散场诱导电子自旋进动的栅压可调性
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们使用时间分辨法拉第旋转来测量磁化叉指Fe光栅下方GaAs/InGaAs量子阱中的相干电子自旋进动。我们表明，通过对相邻条施加相反极性的栅极电压，可以修改电子自旋进动频率。观察到进动频率的可调性为0.5 GHz/V。以千兆赫频率调制栅极电位允许在纳秒时间尺度上控制电子自旋进动。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0612558,
title = {Gate tunability of stray-field-induced electron spin precession in a GaAs/InGaAs quantum well below an interdigitated magnetized Fe grating},
author = {L. Meier and G. Salis and C. Ellenberger and E. Gini and K. Ensslin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0612558},
year = {2007}
}