埋置 Fe 栅极诱导杂散场对电子自旋进动的优化增强
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
利用 Fe 栅极产生的磁杂散场，在外磁场中调节 InGaAs/GaAs 量子阱电子的自旋进动频率。通过刻蚀工艺将栅极直接定位在量子阱平面内，与先前顶部栅极结构的研究结果相比，杂散场对自旋进动的影响显著增强。与数值模拟一致，随着铁磁栅极之间间隙的减小，杂散场诱导的进动频率随之增加。非均匀杂散场导致了额外的自旋退相干。
引用
@article{arxiv.0709.2120,
title = {Optimized stray-field-induced enhancement of the electron spin precession by buried Fe gates},
author = {L. Meier and G. Salis and N. Moll and C. Ellenberger and I. Shorubalko and U. Wahlen and K. Ensslin and E. Gini},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.2120},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 2 figures