界面自旋轨道场矢量的电场调控
介观与纳米尺度物理
2018-04-27 v2
摘要
电流诱导的自旋轨道磁场（iSOFs）出现在具有破缺反演对称性的单晶铁磁体中或非金属/铁磁金属双层中，能够产生作用于铁磁体磁化的自旋轨道力矩，从而为其操控提供高效途径。为了进一步降低自旋轨道力矩器件的功耗，人们高度期望通过场效应控制iSOFs，其功耗由电容充放电决定。特别是，对作用于铁磁金属上的iSOFs的高效电场控制在实用化应用中至关重要。已知在具有C2v对称性的单晶Fe/GaAs (001)异质结构中，由于反演对称性缺失，界面SOFs在Fe/GaAs (001)界面处出现。在此，我们展示通过跨Fe/GaAs界面施加栅压，可通过改变界面自旋轨道相互作用的大小来稳健地调制作用于Fe的界面SOFs。我们的结果表明，电场在肖特基势垒中首次能够修改SOFs，这可用于开发低功耗自旋轨道力矩器件。
引用
@article{arxiv.1803.01656,
title = {Electric-field modification of interfacial spin-orbit field-vector},
author = {L. Chen and M. Gmitra and M. Vogel and R. Islinger and M. Kronseder and D. Schuh and D. Bougeard and J. Fabian and D. Weiss and C. H. Back},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.01656},
year = {2018}
}
备注
5 figures