g 因子与谷对硅双量子点中自旋量子比特的影响
介观与纳米尺度物理
2017-07-12 v2
摘要
我们在硅 MOS 双量子点系统中定义单电子自旋量子比特。通过绘制量子比特共振频率随栅极感应电场的映射，谱图显示出与谷间自旋轨道耦合一致的避免交叉。我们拟合数据并从中提取出 43 MHz 的谷间耦合强度。此外，当我们在 (1,1) 电荷构型下操作器件时，观察到主量子比特共振附近的一个窄共振。实验数据与涉及两个弱交换耦合自旋的模拟一致，其 g 因子差为 1 MHz，与 Rabi 频率同量级。我们得出结论：该窄共振是利用频率位于两个独立自旋共振频率中点的 ESR 信号，在 T- 与 T+ 三重态之间驱动跃迁的结果。本文所述发现为实现两量子比特门提供了一种替代方法，这与更大规模自旋量子比特系统的操作相关。
引用
@article{arxiv.1608.07748,
title = {Impact of g-factors and valleys on spin qubits in a silicon double quantum dot},
author = {J. C. C. Hwang and C. H. Yang and M. Veldhorst and N. Hendrickx and M. A. Fogarty and W. Huang and F. E. Hudson and A. Morello and A. S. Dzurak},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.07748},
year = {2017}
}