CMOS量子点中的自旋-谷耦合各向异性与噪声
介观与纳米尺度物理
2021-09-29 v1
摘要
硅自旋量子比特相较于其他固态量子比特的主要优势之一在于其固有的可扩展性以及与半导体工业已广泛使用的300 mm CMOS制造技术的兼容性，同时保持高读出与门保真度。我们展示了在具有集成电荷探测器的CMOS制造纳米线器件中，利用能量选择性读出对单电子自旋进行检测。我们在两个相似器件中分别测得0.3 meV和0.16 meV的谷分裂。测量了自旋-谷混合的各向异性，其显示遵循由局域限制对称性所预期的依赖关系，表明量子点区域的低无序性。最后，研究了自旋-谷耦合区间的电荷噪声，发现其引起量子比特能量在范围内的涨落。
引用
@article{arxiv.2109.13557,
title = {Spin-valley coupling anisotropy and noise in CMOS quantum dots},
author = {Cameron Spence and Bruna Cardoso Paz and Bernhard Klemt and Emmanuel Chanrion and David J. Niegemann and Baptiste Jadot and Vivien Thiney and Benoit Bertrand and Heimanu Niebojewski and Pierre-André Mortemousque and Xavier Jehl and Romain Maurand and Silvano De Franceschi and Maud Vinet and Franck Balestro and Christopher Bäuerle and Yann-Michel Niquet and Tristan Meunier and Matias Urdampilleta},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.13557},
year = {2021}
}
备注
4 figures