硅量子点中谷轨道态的自旋填充
介观与纳米尺度物理
2011-07-27 v2
摘要
我们报道了一种低无序硅金属-氧化物-半导体量子点的实现，其包含从零到 N=27 的可调电子数。观察到的附加能随平行磁场的变化揭示了电子在谷轨道态中的自旋填充。我们发现基态与第一激发态之间的分裂为 0.10 meV，这与理论相符，并为谷分裂设定了下限。我们的结果为在不久的将来实现基于硅量子点的自旋量子比特提供了乐观前景。
引用
@article{arxiv.1103.2895,
title = {Spin filling of valley-orbit states in a silicon quantum dot},
author = {W. H. Lim and C. H. Yang and F. A. Zwanenburg and A. S. Dzurak},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.2895},
year = {2011}
}
备注
6 pages, 4 figures, to appear in Nanotechnology