基于激发态光谱学推导的量子点自旋填充
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们利用强磁场下的激发态光谱学研究了半导体量子点的自旋填充。该磁场的方向位于二维电子气平面内，其中量子点由电容定义。通过结合 Zeeman 能级分裂的观察与电子绝对数的知识，我们能够确定 1至5 个电子占据量子点的基态自旋构型。对于 4 个电子，我们发现基态自旋构型的总自旋为 S=1，与 Hund 定则一致。观察到电子 g 因子随磁场和电子数目无关。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0505486,
title = {Spin filling of a quantum dot derived from excited-state spectroscopy},
author = {L. H. Willems van Beveren and R. Hanson and I. T. Vink and F. H. L. Koppens and L. P. Kouwenhoven and L. M. K. Vandersypen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0505486},
year = {2007}
}
备注
11 pages, 7 figures, submitted to New Journal of Physics, focus issue on Solid State Quantum Information