硅纳米线量子点中前四个空穴的自旋态
介观与纳米尺度物理
2013-07-16 v1
摘要
我们报道了对硅纳米线量子点的测量，其清晰度使得我们能够完全理解前四个空穴的自旋态。首先，我们展示了对空穴数少至一个的控制。在垂直磁场下的详细测量揭示了硅中单空穴的塞曼分裂。我们确定了占据量子点的一至四个空穴的基态自旋构型，并发现了一种自旋向下和自旋向上交替的自旋填充，这已被高达9T的磁光谱所证实。此外，对许多材料体系中单电荷量子点中一个迄今无法解释的特征进行了详细分析。我们观察到了量子点零空穴基态能的激发，这不能对应于电子态或塞曼态。我们表明，最可能的解释是向纳米线两个接触点之间的腔体发射声学声子。
引用
@article{arxiv.0811.2914,
title = {Spin states of the first four holes in a silicon nanowire quantum dot},
author = {F. A. Zwanenburg and C. E. W. M. van Rijmenam and Y. Fang and C. M. Lieber and L. P. Kouwenhoven},
journal= {arXiv preprint arXiv:0811.2914},
year = {2013}
}
备注
24 pages, 8 figures, both including supporting information