半导体碳纳米管量子点中的电子-空穴对称性
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v1 强关联电子
摘要
固体中的光学和电子现象源于电子和空穴(填满电子海后未占据的状态)的行为。电子-空穴对称性常被用于简化描述，指的是能量高于费米海的电子与费米能以下的空穴在行为上相同。在半导体中，导带能级与价带能级 differ, 因此电子-空穴对称性通常不存在。本文报告了对半导体碳纳米管中电子和空穴的离散、量化能谱的测量。通过栅极，可对单个纳米管中装填恰好数量的电子或空穴进行可控填充。对于含有N个空穴的纳米管，其离散激发谱与N个电子的相应谱图高度相似。这一近乎完美的电子-空穴对称性观察表明，半导体纳米管在极端情况下(即仅含少量电子或空穴)可以无带电杂质。我们还发现异常小的泡克自旋分裂以及表明强电子-电子相互作用的激发谱。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0409714,
title = {Electron-hole symmetry in a semiconducting carbon nanotube quantum dot},
author = {Pablo Jarillo-Herrero and Sami Sapmaz and Cees Dekker and Leo P. Kouwenhoven and Herre S. J. van der Zant},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0409714},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 4 figures