Ge/Si量子点中电子两态系统的电学操控
介观与纳米尺度物理
2015-05-14 v1 材料科学
摘要
我们计算表明，应变自组装Ge/Si量子点的电子态提供了一个便于电学控制的两态系统。局域在量子点顶点的电子态与局域在量子点底部的电子态近乎简并。小电场可将电子基态从顶点局域态切换为底部局域态，从而实现对量子点电子、光学和磁学性质的灵敏调控。作为示例，我们描述了如何通过将单个量子点的电子基态在顶点和底部之间移动，来非常灵敏地控制两个Ge/Si量子点之间的自旋-自旋耦合。
引用
@article{arxiv.0909.4357,
title = {Electrical manipulation of an electronic two-state system in Ge/Si quantum dots},
author = {C. E. Pryor and M. E. Flatté and J. Levy},
journal= {arXiv preprint arXiv:0909.4357},
year = {2015}
}