二维过渡金属二硫化物的自旋磁化率
介观与纳米尺度物理
2016-05-24 v3
摘要
我们获得了单层过渡金属二硫化物依赖于波矢 的静态自旋磁化率的解析表达式，同时考虑了电子掺杂和空穴掺杂情形。我们将结果应用于计算单层 MoS2 的自旋相关物理可观测量，特别关注面内/面外各向异性。我们发现，对于面内杂质自旋分量，由空穴介导的 RKKY 交换相互作用随距离 按幂律 衰减，这偏离了二维费米液体通常表现出的 幂律。相比之下，面外自旋响应显示出熟悉的 长程行为。我们还利用自旋磁化率为空穴掺杂的 MoS2 系统定义了一个集体 g 因子，并讨论了其依赖于密度的各向异性。
引用
@article{arxiv.1403.5021,
title = {Spin susceptibility of two-dimensional transition metal dichalcogenides},
author = {H. Hatami and T. Kernreiter and U. Zülicke},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.5021},
year = {2016}
}
备注
11 pages, 7 figures, RevTex 4.1, v3: replaced Figs. 4 and 5 to show corrected results and fixed minor typos