过渡金属硫族化物单层中的自旋弛豫与近藤效应
介观与纳米尺度物理
2016-11-01 v1 强关联电子
摘要
我们研究了掺杂过渡金属硫族化物单层中由磁性杂质引起的自旋弛豫与近藤电阻率。我们表明，当费米能级位于价带的自旋劈裂区域内时，由磁性杂质的交换相互作用导致的动量和自旋弛豫时间要长得多。与自旋弛豫形成对比的是，我们发现近藤温度 对掺杂的依赖性并未受到自旋轨道诱导的劈裂的强烈影响，尽管每个谷中仅存在一种自旋组分。这一结果是通过微扰论和穷汉标度法获得的，源于自旋劈裂区中的谷间自旋翻转散射。我们进一步证明了在温度接近 时电导率下降，且该电导率下降可随掺杂变化。我们的发现揭示了其与常规金属体系及其他 Dirac 材料中近藤物理的定性差异。
引用
@article{arxiv.1608.00506,
title = {Spin relaxation and the Kondo effect in transition metal dichalcogenide monolayers},
author = {Habib Rostami and Ali G. Moghaddam and Reza Asgari},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.00506},
year = {2016}
}
备注
20 pages, 5 figures