自旋 - 轨道耦合存在下的近藤效应

近年来，自从在 CePt_3Si 中发现超导性以来，一系列非中心对称超导体引起了相当大的关注。在非中心对称材料中，自旋 - 轨道耦合的存在会解除能带的简并。由于能带简并在局域自旋对电子的散射中起着重要作用，这将给近藤效应带来新的效应。我们研究了自旋 - 轨道耦合存在下的单杂质近藤问题。对于 s-d 哈密顿量，我们采用退耦合过程，利用格林函数方法考察了自旋 - 轨道耦合对传导电子散射的影响。结果，我们得到了一个封闭的格林函数方程组，从中可以计算物理量。近藤温度 T_K 是根据格林函数的奇点估算的。我们表明，随着自旋 - 轨道耦合常数\alpha 的增加，T_K 会降低。当 2\alpha k_F 与 k_BT_K(\alpha=0) 相当或更大时，由于能带分裂，T_K 表现出急剧下降。这表明伴随着 T_K 急剧下降的近藤坍缩。电阻率的 log T 依赖性将被自旋 - 轨道相互作用所掩盖。