量子点中电流诱导自旋积累的近藤增强

弱自旋轨道耦合在半导体纳米结构中产生的电流诱导自旋积累非常有限。我们展示了利用近藤效应参数化地增大自旋极化的可能性。作为一个模型对象，我们考虑侧耦合到量子线的量子点，并计入从线到点的自旋依赖电子隧穿。利用非平衡格林函数，我们表明在温和的系统参数下，量子点与量子线之间的多体关联可在低温下将电流诱导自旋积累提升近两个数量级。该增强与态密度中的近藤峰形成以及强库仑相互作用导致的自旋不稳定性有关。此效应可能有助于在量子点中电学操控局域电子自旋以用于其量子应用。