单层MoS$_2$中局域电子的自旋相干与退相干

Luyi Yang; Weibing Chen; Kathleen M. McCreary; Berend T. Jonker; Jun Lou; Scott A. Crooker

doi:10.1021/acs.nanolett.5b03771

单层MoS$_2$中局域电子的自旋相干与退相干

材料科学 2016-02-11 v1 介观与纳米尺度物理

作者: Luyi Yang , Weibing Chen , Kathleen M. McCreary , Berend T. Jonker , Jun Lou , Scott A. Crooker

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摘要

我们报道了电子掺杂单层MoS $_2$ 中相干自旋进动与自旋退相干的系统研究。利用时间分辨Kerr旋转光谱和施加的面内磁场，在几个通过化学气相沉积生长的不同MoS $_2$ 样品中，观察到了与 $g$ 因子 $|g_0|\simeq 1.86$ 相符的纳秒时间尺度Larmor自旋进动信号。该振荡信号的退相率随磁场线性增加，表明相干源于具有非均匀展宽的 $g$ 因子分布 $g_0 + \Delta g$ 的局域电子自旋子系综。与 $g_0$ 相反， $\Delta g$ 依赖于样品，范围从0.042到0.115。

关键词

自旋相干自旋退相干局域电子单层MoS2 Kerr旋转光谱 Larmor进动 g因子非均匀性化学气相沉积

引用

@article{arxiv.1511.03255,
  title  = {Spin coherence and dephasing of localized electrons in monolayer MoS$_2$},
  author = {Luyi Yang and Weibing Chen and Kathleen M. McCreary and Berend T. Jonker and Jun Lou and Scott A. Crooker},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1511.03255},
  year   = {2016}
}

备注

5 pages, 4 figures. Accepted and in press, Nano Letters

单层MoS$_2$中局域电子的自旋相干与退相干

摘要

关键词

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