单层 MoSe$_2$局域电子自选作用的时间依赖性研究
介观与纳米尺度物理
2024-10-21 v1 材料科学
摘要
我们研究了单层 MoSe 垂直EuS 薄膜上居民电子在 Hanle 及自旋极化恢复效应下的自选作用。我们证明，低温下（低于 15~K）且磁场较小（仅几 mT）时，局域电子对自旋动力学信号的主要贡献来自于随机有效磁场，具体包括与 MoSe 中原子核的 hyperfine 相互作用或与 EuS 薄膜磁性离子间的交换相互作用。通过自旋极化的磁场角度依赖性，我们评估了区间电子 因子的各向异性以及自选作用时间。我们归因于 MoSe 层中随机局域电子导致的平面 因子 ，该值与其色散值相当。
引用
@article{arxiv.2407.01454,
title = {Spin relaxation of localized electrons in monolayer MoSe$_2$: importance of random effective magnetic fields},
author = {Eyüp Yalcin and Ina V. Kalitukha and Ilya A. Akimov and Vladimir L. Korenev and Olga S. Ken and Jorge Puebla and Yoshichika Otani and Oscar M. Hutchings and Daniel J. Gillard and Alexander I. Tartakovskii and Manfred Bayer},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.01454},
year = {2024}
}
备注
6 pages, 4 figures