自旋弛豫速率对铁磁体/氧化物/半导体接触界面自旋退极化的影响
介观与纳米尺度物理
2015-05-30 v2
摘要
CoFe/MgO/半导体（SC）接触中正常与反转 Hanle 效应的联合测量揭示了自旋弛豫速率对局域磁场引起的界面自旋退极化（ISD）的影响。尽管 CoFe/MgO/Si 和 CoFe/MgO/Ge 两种接触具有相似的铁磁电极和界面粗糙度，我们观察到 ISD 依赖于宿主半导体而呈现明显不同的特征。在不同半导体中，暴露于来自几乎相同铁磁体的局域场中的自旋的进动与弛豫，导致了反转 Hanle 信号与正常 Hanle 信号之比显著不同。在室温下，CoFe/MgO/Si 接触中观察到大的 ISD，而 CoFe/MgO/Ge 接触中 ISD 较小。CoFe/MgO/Ge 接触的 ISD 在低温下显著增大。这些结果可归因于宿主半导体中自旋弛豫的差异。考虑局域场引起的自旋进动和宿主半导体中的自旋弛豫，对 ISD 进行模型计算，能够一致地解释 ISD 的温度依赖性和偏压依赖性。
引用
@article{arxiv.1110.5978,
title = {Effect of spin relaxation rate on the interfacial spin depolarization in ferromagnet/oxide/semiconductor contacts},
author = {Kun-Rok Jeon and Byoung-Chul Min and Youn-Ho Park and Young-Hun Jo and Seung-Young Park and Chang-Yup Park and Sung-Chul Shin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.5978},
year = {2015}
}
备注
23 pages, 6 figures