铁磁体/氧化物/半导体接触中斜向 Hanle 效应的电学研究
介观与纳米尺度物理
2015-06-12 v4
摘要
我们采用三端测量方案，研究了在 CoFe/MgO/半导体 (SC) 接触中，当磁场以斜角 ({\theta}) 施加于自旋方向时（即斜向 Hanle 效应，OHE）的电学 Hanle 效应。在 CoFe/MgO/Si 和 CoFe/MgO/Ge 接触中获得的电学斜向 Hanle 信号显示出明显不同的线形，这取决于主体半导体的自旋寿命。值得注意的是，在中等磁场下，两种接触中的斜向 Hanle 信号渐近值均一致地减小为 cos^2({\theta}) 倍，且与偏置电流和温度无关。这些结果与电学斜向 Hanle 效应的自旋进动和弛豫模型的预测非常吻合。在高磁场下，CoFe 的磁化强度从薄膜平面显著倾斜至磁场方向，我们发现考虑到外磁场与 CoFe 磁化强度之间的失配角，观察到的 CoFe/MgO/Si 和 CoFe/MgO/Ge 接触中电压信号的角依赖性可以通过 OHE 很好地解释。
引用
@article{arxiv.1211.3486,
title = {Electrical Investigation of the Oblique Hanle Effect in Ferromagnet/Oxide/Semiconductor Contacts},
author = {Kun-Rok Jeon and Byoung-Chul Min and Youn-Ho Park and Seung-Young Park and Sung-Chul Shin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.3486},
year = {2015}
}
备注
19 pages, 8 figures