氮化硼封装双层MoS$_2$中的弱局域化
介观与纳米尺度物理
2019-03-27 v1
摘要
我们展示了六方氮化硼封装双层MoS上的弱局域化测量。通过分析，我们获得了关于电子的相位相干与自旋扩散的信息。我们发现氮化硼封装在样品中提供了更高的迁移率，且相位相干有所改善，而与非封装MoS相比自旋弛豫未表现出任何显著增强。自旋弛豫时间在几皮秒量级，表明存在快速谷内自旋翻转速率。最后，发现在当前范围内自旋翻转速率与电子密度无关，这可通过基于电子-电子库仑散射和外在Bychkov-Rashba自旋轨道耦合的相互抵消自旋翻转散射过程来解释。
引用
@article{arxiv.1903.01536,
title = {Weak localization in boron nitride encapsulated bilayer MoS$_2$},
author = {Nikos Papadopoulos and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Herre S. J. van der Zant and Gary A. Steele},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.01536},
year = {2019}
}