小转角扭曲双层 MoS$_2$ 中的电子局域化

已知摩尔图案可在过渡金属硫族化物双层中束缚电子态，从而将扭曲双层石墨烯中发现的魔角概念推广到半导体。本文中，我们提出一个修正的 Slater-Koster 紧束缚模型，可对全转角范围 $\theta$ 下扭曲双层 MoS$_2$ 中的此类态进行首次可靠且系统的研究。我们表明，对于 $\theta \lesssim 5 - 6^\circ$，低能处出现孤立能带。此外，对于最小角度 $\theta \lesssim 2^\circ$，这些能带变为以平均速度消失为特征的“平带”。