小角度扭转双层石墨烯中的电荷序与莫特绝缘基态
强关联电子
2020-05-29 v3 超导电性
摘要
在这项工作中，我们确定了小角度扭转双层石墨烯的电子序态。针对弱耦合和强耦合分别确定了基态，它们代表了扭转角偏离其魔角值的不同距离。在弱耦合区，出现破坏平移和 旋转对称性的电荷密度波。在强耦合区，我们发现对于所有公度莫尔(moiré)能带填充，均存在破坏旋转和平移对称性的莫特绝缘态。根据可容纳多达四个电子的超晶格位的局域占据情况，全局自旋（铁磁性）和谷对称性也被打破，这可能引起如实验中在公度能带填充处观测到的朗道能级简并度降低。这些特定电子序的形成可追溯到特征性非局域相互作用的重要作用，该相互作用连接了由超晶格的 AB 和 BA 堆叠区域构成的一个六边形内的所有局域态。
引用
@article{arxiv.1909.03074,
title = {Charge order and Mott insulating ground states in small-angle twisted bilayer graphene},
author = {Markus J. Klug},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.03074},
year = {2020}
}