魔角双层石墨烯中的莫特半导体态
强关联电子
2019-01-29 v1
摘要
利用非微扰理论方法,我们研究了魔角扭转双层石墨烯中的强关联问题。我们聚焦于无对称性破缺的解,在此情形下,所有整数填充处均预期出现常规莫特绝缘态。在对应于介电常数的库仑排斥下及若干整数填充处,我们发现一种莫特半导体态,其同时具有莫特态,并在莫特能隙内存在一个小得多的半导体能隙。这些位于点的莫特隙内态的存在,使莫特态具有强烈的温度依赖性,并在高温下导致坏金属相。该系统在电荷中性点及远离它的偶数填充处均为绝缘态。
引用
@article{arxiv.1901.09852,
title = {The Mott-semiconducting state in the magic angle bilayer graphene},
author = {M. Haule and E. Y. Andrei and K. Haule},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.09852},
year = {2019}
}
备注
8 pages