魔角附近掺杂扭转双层石墨烯:接近维格纳晶化而非莫特绝缘
强关联电子
2018-10-15 v3 介观与纳米尺度物理
摘要
我们设计了一个模型来解释为何扭转双层石墨烯(TBLG)在个电荷占据一个莫尔元胞时表现出绝缘行为(这一特征被归因于Mottness),但在时却不表现,这显然与莫特绝缘不一致。我们计算,其中和分别为势能和动能,并表明(i)莫特判据位于比实验高倍的密度处,且(ii)作为的函数存在向一系列维格纳晶态的相变。我们发现,对于,未能跨越三角晶格的阈值(),从而呈现金属输运。然而,对于和,阈值和分别得到满足,对应于向具有蜂窝()和kagome()结构的维格纳晶体(WC)的相变。我们认为,此类晶态构成了分析超导性的正确出发点。
引用
@article{arxiv.1804.01101,
title = {Doped Twisted Bilayer Graphene near Magic Angles: Proximity to Wigner Crystallization not Mott Insulation},
author = {Bikash Padhi and Chandan Setty and Philip W. Phillips},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.01101},
year = {2018}
}
备注
Version accepted in Nano Letters