近端自旋轨道耦合对扭曲单层双层石墨烯相关状态的调控

我们研究了在扭曲单层双层石墨烯上，是否接近由二硫化物层置入的自旋轨道耦合（SOC）下的相关基态。我们进行了自洽 Hartree-Fock 计算，允许变分空间包括所有整数和半整数填满导带的多Q平移对称性破缺状态，其中已报告存在相关拓扑状态的实验信号。我们发现在整数填满时保持莫尔平移对称性的相互作用诱导绝缘体，但在半整数填满时破坏这种对称性。我们认为，即使存在SOC，平坦的极化带也会导致平移对称性破缺。然而，我们发现，小SOC即可显著影响相关状态的自旋性质。一般而言，伊辛SOC倾向于产生垂直自旋极化和自旋-谷浏锁定，而拉赫巴SOC倾向于产生平行自旋有序。若仅存在这两种SOC类型中的一种，我们发现根据SOC的类型，它会驱动从四棱锥反亚磁体向共平面、非共平面或共线自旋密度波态的转变，适用于半整数填满。同时存在两种SOC类型的挫败会在无SOC时为共线态的参数范围内诱导手性非共平面有序。