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调控石墨/WSe$_{2}$异质结构中近端诱导的自旋轨道耦合

介观与纳米尺度物理 2025-12-03 v1

摘要

最近在由单层石墨 (ML-G) 和过渡金属硫化物 (TMDC) 如 WSe2_{2} 构成的异质结构中观察到近端诱导的自旋轨道耦合 (SOC)。先前研究还证明了通过施加机械压力和电场可成功调控石墨/WSe2_{2} 异质结构中的 SOC。此外,理论计算预测近端诱导的 SOC 随石墨与 TMDC 之间的扭转角而强显著依赖。本文对这些预测进行实验测试,构建 ML-G/ML-WSe2_{2}/hBN 异质结构,其中扭转角通过对准断裂边缘和对石墨进行晶体学蚀刻来确定。通过进行弱反局化测量,我们确定了 Rasbha 型 SOC (λR\lambda_\mathrm{R}) 和谷-泵森型 SOC (λVZ\lambda_\mathrm{VZ}) 的强度。我们的实验确认了近端诱导 SOC 随扭转角的强依赖,与理论预测一致。最后,我们演示了通过机械压力可调控 SOC 强度,这与早前的发现相符。

关键词

引用

@article{arxiv.2512.02522,
  title  = {Tuning proximity-induced spin-orbit coupling in graphene/WSe$_{2}$ heterostructures},
  author = {Tobias Rockinger and Bálint Szentpéteri and Szabolcs Csonka and Marina Marocko and Julia Amann and Ziyang Gan and Antony George and Andrey Turchanin and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Dieter Weiss and Péter Makk and Jonathan Eroms},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2512.02522},
  year   = {2025}
}

备注

10 pages, 12 figures, Supplemental Material appended