石墨烯/WS$_2$ 中可调的自旋轨道耦合与对称性保护的边缘态

我们展示了在覆盖 WS$_2$ 的单层和双层石墨烯器件中由诱导的 Rashba 自旋轨道耦合（SOC）引起的明显弱反局域化（WAL）效应。与共享单层石墨烯薄片的未覆盖区域相反，覆盖 WS$_2$ 的石墨烯中的 WAL 在电子和空穴两侧的大范围载流子密度内均出现。在高载流子密度下，我们估计 Rashba SOC 弛豫率约为 $\sim 0.2 \rm{ps}^{-1}$，并表明它可以通过横向电场进行调节。除了 Rashba SOC 之外，我们还通过第一性原理计算预测了“谷 Zeeman”SOC 的存在。这两种 SOC 之间的相互作用可以在石墨烯中打开一个非拓扑但有趣的能隙；特别是，锯齿形边界拥有受时间反演和晶体对称性保护的四个能隙内边缘态。石墨烯/WS$_2$ 系统为这些新颖的边缘态提供了一个可能的平台。